




Einige
physikalische Grundlagen
Unter einem Halbleiter versteht man einen Stoff, dessen elektrisches Leitvermögen
zwischen dem von Isolatoren und dem von Leitern liegt. Technisch wichtige
Halbleiter sind Germanium, Silicium, Selen und Tellur sowie zahlreiche Verbindungen
aus Elementen der III. und V. Gruppe sowie der II. und IV. Gruppe des Periodensystems
der Elemente (z.B. Galliumarsenid GaAs oder Indiumphosphat InP). Die elektrische
Leitfähigkeit bzw. deren Kehrwert, der spezifische elektrische Widerstand,
hängt stark von der stofflichen Zusammensetzung und den gegebenen Bedingungen
ab.
Allgemein gilt aber für Halbleiter wie für andere Stoffe, dass
ein elektrischer Leitungsvorgang nur zustandekommt, wenn die folgenden zwei
Voraussetzungen erfüllt sind:
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Es müssen frei bewegliche (wanderungsfähige) Ladungsträger vorhanden sein: In Halbleiter handelt es sich um Elektronen und Defektelektronen, die teilweise vorhanden sind, darüber hinaus aber in unterschiedlicher Weise erzeugt werden können. |
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Es muss im betreffenden Raumbereich ein elektrisches Feld existieren: Das wird durch Anlegen einer elektrischen Spannung erreicht. |
Der Verlauf des elektrischen Leitungsvorganges in Halbleitern ist ganz allgemein dadurch gekennzeichnet, dass
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sich Elektronen bzw. Defektelektronen (Löcher) unter dem Einfluss des elektrischen Feldes in einer Vorzugsrichtung bewegen; |
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die gerichtete Bewegung der Elektronen und Defektelektronen durch die anderen Teilchen des Stoffes behindert wird. Dabei können sehr unterschiedliche Effekte auftreten, z.B. die Abgabe von Wärme oder Strahlung. |
Die Atombindung
In reinen Halbleitern - darunter versteht man Halbleiter mit nur sehr
wenigen Fremdatomen - liegt eine Atombindung
vor. Die Atombindung ist eine der drei chemischen Hauptbindungsarten,
zu denen man auch die Ionenbindung und die Metallbindung zählt. Fügen
sich mehrere Atome zu einem größeren Verbund zusammen, dann
erfolgt dies fast immer so, dass sie durch ihren Zusammenschluss einen
energetisch stabilen Zustand erlangen, der auf Bindungskräften zwischen
den einzelnen Atomen beruht. Eine Möglichkeit, eine stabile Bindung
zu realisieren, besteht für die Atome darin, sich mit benachbarten
Atomen Elektronen zu teilen. Nach der Schalentheorie der Atomhülle
sind alle äußeren Elektronenschalen, die mit genau acht Elektronen
oder einer abgeschlossenen Elektronenhülle besetzt sind, besonders
stabil. Allen Atomen, die im Periodensystem der Elemente zu der siebenten
Hauptgruppe gehören, fehlt genau ein Elektron zur Erlangung einer
abgeschlossenen Achterschale. Indem sie sich mit anderen Atomen ein Elektronenpaar
gemeinsam teilen, können sie wechselseitig jeweils paarweise stabile
Elektronenanordnungen (Elektronenkonfigurationen) erzielen. Atome, die
nicht zur siebenten Hauptgruppe gehören, müssen zur Erlangung
eines stabilen Zustandes durch Atombindung unter Umständen mehrere
gemeinsame Valenzelektronenpaare
bilden. Dies erfolgt zum Beispiel beim Halbleiter Silicium (4. Hauptgruppe)
durch jeweils vier Elektronenpaare. Eine Reihe von Eigenschaften der Halbleiter
können auf die physikalischen Besonderheiten der Atombindung zurückgeführt
werden. Zu diesen Eigenschaften gehören z. B. die geringe elektrische
Leitfähigkeit bei reinen Stoffen und die starke Veränderbarkeit
der Leitfähigkeit durch Einbau von Stoffen mit anderer chemischer
Wertigkeit (Dotieren).
Eigenleitung und
Störstellenleitung
In reinen Halbleitern sind bei sehr niedrigen Temperaturen praktisch alle
Elektronen gebunden. Beim Anlegen einer Spannung fließt kein Strom.
Aber bereits bei Zimmertemperatur können aufgrund der thermischen
Bewegung Elektronen ihre Bindung verlassen. Im Halbleiter sind dann freie
Elektronen und Fehlstellen, die man als Löcher
oder Defektelektronen
bezeichnet, vorhanden. Diesen Effekt nennt man Paarbildung,
den umgekehrten Effekt der Besetzung einer Fehlstelle durch ein
Elektron Rekombination.
Im statistischen Mittel halten sich Paarbildung und Rekombination die
Waage. Es sind aber immer freie Elektronen und Defektelektronen vorhanden.
Bei Anlegen eines elektrischen Feldes bewegen sich die Elektronen in einer
Vorzugsrichtung. Sie besetzen Löcher, Bindungen brechen neu auf,
es entstehen wieder freie Elektronen und Löcher usw. Insgesamt bewegen
sich die Elektronen in der einen und damit die Löcher in der anderen
Richtung. Es fließt somit ein Strom, der allerdings in der Regel
sehr klein ist. Diese Form der Leitung in Halbleitern wird als Eigenleitung
bezeichnet.
Werden in Halbleiter, z.B. in Silicium, gezielt Fremdatome
der III. oder der V. Hauptgruppe des PSE eingebaut, so entstehen im Kristall
zusätzliche Fehlstellen oder Störstellen, verbunden mit zusätzlichen
freien Elektronen bzw. Defektelektronen. Durch das Dotieren
entstehen sogenannten n-Halbleiter
bzw. p-Halbleiter (Bild 4)
mit einer deutlich höheren Leitfähigkeit als sie das reine Halbleitermaterial
hat. Die Leitung, die durch das Dotieren zustandekommt, wird als Störstellenleitung
bezeichnet.
Die Leitung in Halbleitern lässt sich auch mit dem Bändermodell
erklären. Ausführliche Informationen dazu sind unter diesem
Stichwort in einem gesonderten Beitrag auf der CD zu finden.
Beeinflussung elektrischer
Leitungsvorgänge in Halbleitern
Elektrische Leitungsvorgänge können in vielfältiger Weise
beeinflusst werden, z.B. durch Temperatur oder Licht, aber auch durch
Druck, Verformung, elektrische und magnetische Felder. Daraus ergeben
sich zahlreiche technische Anwendungsmöglichkeiten.
Beispiele für Bauelemente, in denen die Leitfähigkeit durch
Wärme bzw. durch Licht beeinflusst wird, sind Thermistoren
und Fotowiderstände.
In welcher Weise ihre Leitfähigkeit beeinflusst wird, ist in Bild
5 dargestellt.